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美光宣布推出 232 层 3D NAND 闪存

雍成妹
导读 美光周四宣布推出业界首款具有 232 层的 3D NAND 存储设备。该公司计划将其新的 232 层 3D NAND 产品用于包括固态驱动器在内的各...

美光周四宣布推出业界首款具有 232 层的 3D NAND 存储设备。该公司计划将其新的 232 层 3D NAND 产品用于包括固态驱动器在内的各种产品,并计划有时在 2022 年末开始增加此类芯片的生产。

美光的 232 层 3D NAND 设备采用 3D TLC 架构,原始容量为 1Tb (128GB)。该芯片基于美光的 CMOS 阵列下 (CuA) 架构,并使用 NAND 串堆叠技术在彼此之上构建两个 3D NAND 阵列。

CuA 设计与 232 层 NAND 相结合将大大减小美光 1Tb 3D TLC NAND 存储器的芯片尺寸,这有望降低生产成本,并使美光能够更积极地为采用这些芯片的设备定价,或者只是增加其利润率。

美光没有公布其新型 232L 3D TLC NAND IC 的 I/O 速度或平面数量,但暗示新内存将提供比现有 3D NAND 设备更高的性能,这对于下一代 SSD 尤其有用具有 PCIe 5.0 接口。

谈到 SSD,美光科技和产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出,该公司与内部和第三方 NAND 控制器(用于 SSD 和其他基于 NAND 的存储设备)的开发人员密切合作,以提供适当的支持对于新型内存(并确保那些即将推出的驱动器最终出现在我们最好的 SSD列表中)。

“我们围绕制造世界上最快的托管 NAND 以及数据中心和客户端 SSD 产品所需的技术优化了 [232 层 3D NAND] 技术,”DeBoer 说。“内部和外部控制器的组合一直是我们垂直产品集成重点的重要组成部分,以确保我们优化了 NAND 和控制器技术,以满足我们提供未来领先产品所需的东西。”。