美光今天宣布，它正在出货 232 层 TLC NAND，在业界处于领先地位，层数最高。新的 NAND 闪存具有业界最高的密度，可在单个 NAND 芯片封装中实现高达 2 TB 的存储。与上一代相比，美光将改进的容量与最高 100% 的写入速度和每颗芯片的读取性能提高 75% 以上相结合，这也标志着性能方面的飞跃。美光已经在未指定的零售 Crucial 英睿达 SSD 中提供这种闪存，并作为 NAND 组件向其他制造商提供。

正如您在下面的幻灯片中看到的那样，存储密度的增加使美光能够将整体封装比其上一代闪存缩小 28%，这对于智能手机和 MicroSD 卡等小型设备将派上用场。每个 2TB 芯片封装比美国邮票小三倍，尺寸为 11.5 x 13.5 毫米，令人难以置信。美光指出，您可以在单个 2TB 芯片封装中存储 340 小时的 4K 视频。

NAND 层数

美光 三星 西部数据/铠侠 SK海力士 长江存储

立即发货 232层 200层 162层 176层 128层

每平方毫米的密度 14.6 Gb 毫米^2 8.5 Gb 毫米^2 10.4 Gb 毫米^2 10.8 Gb 毫米^2 8.48 Gb 毫米^2

模具容量 1 TB 512 Gb 1 TB 512 Gb 512 Gb

下一代(发布日期) ? 3xx(未知) 212(未知) 238层(2023) 196层(2H，2022)

美光的 232 层 (232L) 是该公司上一代 176L 闪存的一个很好的进步，但它在层数方面也超过了竞争对手。然而，密度是更重要的指标。美光的 TLC 闪存，亲切地命名为 B58R，将 1Tb 的存储空间打包到一个小芯片中。16 个裸片可以装入一个封装中，从而在单芯片封装中实现高达 2TB 的容量。

闪存密度达到每 mm^2 14.6 Gb 的存储空间，美光声称这比目前正在运输的竞争 TLC 闪存领先 30% 到 100%(我们正在跟进以明确这一说法)。这意味着美光的每个裸片应约为 69mm^2。和以前一样，美光使用其 CMOS under the Array (CuA) 技术(现已进入第六代)，通过在数据存储阵列下方堆叠 CMOS 来提高密度。美光还使用双堆栈闪存设计，这意味着每个成品芯片由两个 116 层芯片组成，在称为串堆叠的工艺中粘合在一起。美光还引用了用于创建高纵横比孔的先进工艺和材料进步作为增加密度的贡献者。

美光也吹捧了令人印象深刻的性能改进，这归功于其新的六平面架构——业界首创的 TLC NAND 出货量。平面是闪存芯片的一个区域，可以独立响应 I/O 请求，就像 CPU 中的每个内核可以并行完成操作一样。如果设计正确，更多的平面就意味着更高的性能。

美光从 4 个平面变为 6 个平面，再加上其在 ONFI 5.0 接口上增加 50% 至 2.4 GB/s 以提供更多来自芯片的带宽，有助于美光声称将写入带宽提高 100%，读取提高 75% 以上带宽高于其上一代 176 层 NAND。当然，这并不意味着我们会看到固态硬盘的速度突然是现有驱动器的两倍——其他瓶颈仍然存在，比如控制器和接口——但随着生态系统的其他部分赶上，它确实为更快的设备铺平了道路达到新闪光灯的速度。

美光表示，由于内部路径上的 I/O“冲突”较少，额外的平面还可以提高服务质量和读/写延迟，但该公司尚未共享读和写延迟指标。232L 闪存现在支持低压 NV-LPPDR4 接口，与上一代接口相比，每比特能耗降低了 30%。美光声称代能源效率有所提高，但尚未分享确切的指标。我们被告知将来会学到更多。

美光也没有分享耐用性指标，但它预计其 232L TLC 将通常与其上一代闪存匹配相同的耐用性阈值。提醒一下，耐久性是按编程/擦除 (P/E) 周期来评定的。从角度来看，美光的上一代 TLC 通常落在消费级 SSD 的 1,000 到 3,000 个 P/E 周期范围内，而企业级 SSD 的 P/E 周期范围为 5,000 到 10,000 个。当然，这会受到所采用的纠错码 (ECC) 类型的影响，但我们可以预期 232L TLC 的范围相似。

美光的 232L TLC 闪存已作为 NAND 芯片和未指定的面向零售的 Crucial SSD 向其 OEM 客户发货。美光仍处于产量增长的早期阶段，但表示将在 2022 年全年增加产量。我们将看到该技术的其他版本，如 QLC 变体，也将在不久的将来出现。