三星正准备开始量产其第 8 代 V-NAND 内存，该内存将具有 200 多层，并为固态存储设备带来更高的性能和位密度。

三星在 2013 年凭借 24 层 V-NAND 闪存领先竞争对手数年，其他公司也花了相当长的时间才赶上。但从那以后，这家韩国巨头变得更加谨慎，因为构建数百层的 NAND 变得越来越困难。今年，美光和 SK 海力士凭借 232 层和 238 层 3D TLC NAND 设备击败了三星。但据韩国商业报道，V-NAND 开发商并没有停滞不前，正准备开始批量生产 236 层的 3D NAND 存储器(当然，将被命名为 V-NAND) (在新标签中打开).

三星在 2021 年年中生产了 首批 200 层以上的 V-NAND 内存样品 ，因此它现在应该有足够的技术经验来启动此类设备的批量生产。不幸的是，目前很难判断三星即将推出的第 8 代 V-NAND 芯片的容量。尽管如此，我们确信该公司的下一代 NAND 内存目标之一将是更快的接口速度和其他性能特征，以实现下一代最佳 SSD。

为了为即将推出的具有 PCIe Gen5 接口的台式机和笔记本电脑以及支持 UFS 3.1 和 4.0 接口的智能手机构建具有竞争力的固态存储解决方案，三星需要具有高速接口的 NAND 设备。今天三星的 V7-NAND 已经具有高达 2.0 GT/s 的接口速度，但我们预计该公司将进一步提高其 V8-NAND 的接口速度。

三星第 8 代 V-NAND 的另一项期望是增加程序块大小并减少读取延迟，从而优化大容量 3D NAND 设备的性能。但不幸的是，确切的特征是未知的。