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1、据编程方式的不同，ROM共分为以下5种：掩膜工艺ROM。

2、这种 ROM 是工艺厂家根据客户所要存储的信息，设计专用的掩膜板进行生产的。

3、一旦生产出成品后，ROM 中的信息即可被读出使用，但不能改，一般用于批量生产，成本比较低。

4、2、可一次性编程ROM（PROM ）。

5、是用熔丝制造的，用户可以烧断这些熔丝，以实现存储器存储元件之间的互联，从而写入信息，一旦写入之后，信息就会永久的固定下来，只可读出，不可再改变其内容。

6、3、紫外线擦除可改写ROM（EPROM）。

7、内容可由用户写入，也允许用户反复擦除重新写入。

8、由于太阳光含紫外线，当程序写好后要使用昂贵的带有石英窗口的陶瓷封装，避免阳光射入破坏程序。

9、而且在擦除过程中不能选择性地擦除存储字单元，如果用户需要改程序，必须擦除整个存储阵列。

10、4、电擦除可改写ROM（EEROM）。

11、EEROM是ROM发展过程中的一个主要进展，它的写操作采用了热载流子隧穿，擦除操作采用了热电子的量子力学隧穿效应。

12、5、快闪ROM（flash ROM）。

13、是一种把热载流子编程和隧穿擦除结合在一起实现一个单管 EPROM 单元的方法。

14、这种技术结合了 EPROM 的编程能力和 EEPROM 的擦除能力，读写速度都很快。

15、这种芯片的改写次数最大能达到 100 万次。

16、扩展资料：ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。

17、ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。

18、除少数品种的只读存储器（如字符发生器）可以通用之外，不同用户所需只读存储器的内容不同。

19、为便于使用和大批量生产 ，进一步发展了可编程只读存储器、可擦可编程序只读存储器和电可擦可编程只读存储器。

20、参考资料来源：百度百科-ROM　1.ROM 　　只读内存（Read-Only Memory）是一种只能读取资料的内存。

21、在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask ROM）。

22、此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动。

23、 　　2.PROM 　　可编程程序只读内存（Programmable ROM，PROM）之内部有行列式的镕丝，视需要利用电流将其烧断，写入所需的资料，但仅能写录一次。

24、 PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用 户可以将其中的部分单元写入1)， 以实现对其“编程”的目的。

25、PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果我们想改写某些单元，则可以给这些单元通以足够大的电流，并维持一定的时间，原 先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某些位的效果。

26、另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还 是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”，造成其永久性击穿即可。

27、 　　3.EPROM 　　可抹除可编程只读内存（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。

28、通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。

29、 　　4.OTPROM 　　一次编程只读内存（One Time Programmable Read Only Memory，OPTROM）之写入原理同EPROM，但是为了节省成本，编程写入之后就不再抹除，因此不设置透明窗。

30、 　　5.EEPROM 　　电子式可抹除可编程只读内存（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。

31、 　　6.快闪存储器 　　快闪存储器（Flash memory）的每一个记忆胞都具有一个“控制闸”与“浮动闸”，利用高电场改变浮动闸的临限电压即可进行编程动作。

32、 　　7.快闪存储器 　　指从游戏机主文件存储器里或者正版游戏卡带提取的游戏主文件，可以在各类模拟器上使用。

33、例如街机模拟器，GBA模拟器的ROM，正是此意。

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